這一預(yù)期高于三星今年1月份預(yù)測(cè)的HBM芯片銷量。
三星電子公司(Samsung Electronics Co.)今年的高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片產(chǎn)量可能會(huì)比去年增加兩倍,因?yàn)樗哪繕?biāo)是在人工智能(AI)芯片領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。
本周二,在加利福尼亞州圣何塞舉行的全球芯片制造商聚會(huì)Memcon 2024上,三星公司執(zhí)行副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)負(fù)責(zé)人Hwang Sang-joong表示,他預(yù)計(jì)該公司今年的HBM芯片產(chǎn)量將比去年增加2.9倍。
這一預(yù)測(cè)高于三星今年早些時(shí)候在 CES 2024 上公布的預(yù)測(cè),即該芯片制造商可能會(huì)在 2024 年生產(chǎn) 2.5 倍的HBM芯片。
“繼已經(jīng)量產(chǎn)的第三代HBM2E和第四代HBM3之后,我們計(jì)劃在今年上半年大批量生產(chǎn)12層第五代HBM和32千兆位的128 GB DDR5產(chǎn)品,”Hwang在Memcon 2024上說:“通過這些產(chǎn)品,我們希望在人工智能時(shí)代增強(qiáng)我們?cè)诟咝阅堋⒏呷萘績(jī)?nèi)存領(lǐng)域的影響力。”
在會(huì)議上,三星公布了其HBM路線圖,預(yù)計(jì) 2026 年的 HBM 出貨量是 2023 年的 13.8 倍。該公司表示,到2028年,HBM內(nèi)存的年產(chǎn)量將進(jìn)一步上升至2023年的 23.1 倍。
在代號(hào)為“Snowbolt”的第六代 HBM 芯片 HBM4 中,三星計(jì)劃將緩沖芯片(一種控制設(shè)備)應(yīng)用于堆疊內(nèi)存的底層以提高效率。
此次會(huì)議上,三星向與會(huì)者展示了其最新的 HBM3E 12H 芯片——業(yè)界首款 12 堆棧 HBM3E DRAM,標(biāo)志著 HBM 技術(shù)有史以來實(shí)現(xiàn)的最高容量突破。
三星目前正在向客戶提供HBM3E 12H芯片的樣品,并計(jì)劃在上半年開始量產(chǎn)。
參會(huì)嘉賓包括SK海力士、Microsoft、Meta Platforms、英偉達(dá)和AMD。
CXL技術(shù)
三星還在 Memcon 2024 上公布了其 Compute Express Link (CXL) 內(nèi)存模塊產(chǎn)品組合的擴(kuò)展,展示了其在 AI 應(yīng)用的高性能和高容量解決方案中的技術(shù)。
在主題演講中,三星設(shè)備解決方案研究美國(guó)公司執(zhí)行副總裁崔振赫表示,三星致力于與合作伙伴合作,釋放人工智能時(shí)代的全部潛力。
沒有內(nèi)存技術(shù)創(chuàng)新,人工智能創(chuàng)新就無法繼續(xù)。作為內(nèi)存市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者,三星很自豪能夠繼續(xù)推進(jìn)創(chuàng)新,從業(yè)界最先進(jìn)的CMM-B技術(shù)到強(qiáng)大的內(nèi)存解決方案,如HBM3E,用于高性能計(jì)算和要求苛刻的AI應(yīng)用。
為了突出 CXL 生態(tài)系統(tǒng)的增長(zhǎng)勢(shì)頭,三星推出了 CXL 內(nèi)存模塊CMM-B,這是一款尖端的 CXL DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品。
該芯片制造商還展示了用于分層內(nèi)存的 CXL 內(nèi)存模塊CMM-H和CXL內(nèi)存模塊DRAM (CMM-D)。
CXL 是下一代接口,可提高高性能服務(wù)器系統(tǒng)中與CPU一起使用的加速器、DRAM和其它存儲(chǔ)設(shè)備的效率。
作為HBM芯片領(lǐng)域的落后者,三星在HBM上投入了大量資金,以與SK海力士和其它內(nèi)存廠商競(jìng)爭(zhēng)。
HBM 已成為AI熱潮的關(guān)鍵,因?yàn)樗峁┝吮葌鹘y(tǒng)存儲(chǔ)芯片更快的處理速度。
上周,三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun表示,該公司正在開發(fā)其下一代AI芯片Mach-1,旨在通過該芯片顛覆其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士,后者是先進(jìn)HBM領(lǐng)域的主導(dǎo)者。
該公司表示,它已經(jīng)同意在今年年底前向Naver Corp.供應(yīng)Mach-1芯片,交易價(jià)值高達(dá)1萬億韓元(7.52億美元)。
通過這份合同,Naver希望大幅減少其對(duì)全球頂級(jí)AI芯片設(shè)計(jì)商英偉達(dá)(Nvidia)的AI芯片依賴。
SK海力士:2024年實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的AI用DRAM銷售
最近,SK海力士首席執(zhí)行官Kwak Noh-Jung表示,預(yù)計(jì)到2024年,面向AI芯片組的HBM芯片將占其DRAM芯片銷售額的兩位數(shù)百分比。
今年3月,英偉達(dá)的供應(yīng)商開始將下一代先進(jìn)的HBM芯片商業(yè)化。
據(jù)報(bào)道,英偉達(dá)可能是SK海力士首批出貨的受益者。
HBM 芯片迎合了英偉達(dá)和其它在生成式 AI 中處理大量數(shù)據(jù)的GPU。
SK海力士是英偉達(dá)目前使用的HBM3版本的唯一供應(yīng)商,占據(jù)了AI芯片市場(chǎng)的80%,從而引領(lǐng)了HBM芯片市場(chǎng)。
分析師預(yù)計(jì),到 2024 年,HBM 芯片將占全行業(yè) DRAM 銷售額的 15%,高于 2023 年的 8%。
最近的報(bào)道顯示,SK海力士計(jì)劃投入40億美元在印第安納州西拉斐特建立一個(gè)先進(jìn)的芯片封裝工廠,并得到美國(guó)芯片法案的支持,可能會(huì)增加800~1000個(gè)工作崗位。