年有報道稱，三星正在準備自己的3D芯片封裝技術，能夠以更小的尺寸集成高性能芯片所需要的邏輯芯片和存儲芯片。目前HBM產(chǎn)品主要采用2.5D封裝技術，不過三星打算在2025年亮相的HBM4上引入3D封裝技術。
據(jù)Trendforce報道，三星在本月舉行的“三星代工論壇（SFF）”上確認，今年內(nèi)將推出3D HBM封裝服務。
據(jù)了解，三星的先進封裝解決方案稱為“SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology.）”，目標是與臺積電的CoWoS封裝競爭。目前三星提供三種封裝技術，包括：
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SAINT S - 用于垂直堆疊SRAM存儲器芯片和CPU
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SAINT D - 用于CPU、GPU、DRAM等核心IP的垂直封裝
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SAINT L - 用于堆疊應用處理器（AP）
在2.5D封裝技術下，HBM芯片與硅中介層上的GPU水平連接，通過將HBM芯片垂直堆疊在GPU上，而3D封裝技術可以不需要硅中介層（硅中介層是位于芯片之間的薄基板，允許芯片進行通信和協(xié)同工作）。
據(jù)了解，三星計劃以“交鑰匙”方式提供3D HBM封裝服務。為了實現(xiàn)這一目標，三星的先進封裝團隊將垂直互連其存儲業(yè)務部門生產(chǎn)的HBM芯片，以及由其代工部門為芯片設計公司制造的GPU。三星希望通過先進封裝解決方案能夠從競爭對手那里搶奪更多的場份額，并提高自己HBM產(chǎn)品的出貨量，提升市場競爭力。